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G3VM-61AR1/61DR1 MOS FET歐姆龍繼電器

小型DIP4針封裝,實現(xiàn)與機械式繼電器相當(dāng)?shù)牡蛯?dǎo)通電阻、高容量開關(guān)的MOS FET繼電器負載電壓 60V 連續(xù)負載電流 3A(最大)

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狀	接點結(jié)構(gòu)	負載電壓 (最大) *	連續(xù)負載電流 (最大) *	包裝狀態(tài)/桿狀			包裝狀態(tài)/帶狀
				型號		最小包裝單位(個)	型號	最小包裝單位(個)
				印刷基板用端子	表面安裝端子	最小包裝單位(個)	表面安裝端子	最小包裝單位(個)
DIP4	1a	60 V	3 A	G3VM-61AR1	G3VM-61DR1	100	G3VM-61DR1(TR05)	500

* 連續(xù)負載電流 (最大)、負載電壓 (最大) : 表示峰值A(chǔ)C、 DC。
注1. 帶狀包裝（表面安裝端子型）無標(biāo)準(zhǔn)在庫機種。
注2. 帶狀包裝（表面安裝端子型）的訂貨請在型號末尾加上（TR）或（TR05）。

絕對最大額定值 (Ta = 25oC)

(注1): 測量輸入輸出間的耐電壓時, 分別對LED針腳、受光側(cè)針腳統(tǒng)一地施加電壓。

電氣性能 (Ta = 25oC)

項目		符號	最小	標(biāo)準(zhǔn)	最大	單位	條件
輸入側(cè)	LED正向電壓	V_F	1.5	1.64	1.8	V	I_F?= 10 mA
	反向電流	I_R	---	---	10	μA	V_R?= 5 V
	端子間電容	C_T	---	70	---	pF	V = 0, f = 1 MHz
	觸發(fā)LED正向電流	I_FT(IFC)	---	0.3	3	mA	I_O?= 1 A
	復(fù)位LED正向電流	I_FC(IFC)	0.1	0.2	---	mA	I_OFF?= 10 μA
輸出側(cè)	最大輸出導(dǎo) 通電阻	R_ON	---	45	100	mΩ	I_F?= 5 mA, t < 1s, I_O?=3 A
	開路時漏電流	I_LEAK	---	0.005	1	μA	V_OFF=60V
	端子間電容	C_OFF	---	250	---	pF	V = 0, f = 1 MHz
輸入輸出間電容		C_I-O	---	0.8	---	pF	f = 1 MHz, V_S?= 0 V
輸出輸入間電容絕緣電阻		R_I-O	1000	10⁸	---	MΩ	V_I-O?= 500 VDC, R_OH ≤ 60%
動作時間		t_ON	---	0.45	2	ms	I_F?= 5 mA, R_L?= 200 Ω, V_DD?= 20 V(注2)
復(fù)位時間		t_OFF	---	0.2	1	ms	I_F?= 5 mA, R_L?= 200 Ω, V_DD?= 20 V(注2)

(注2): 動作、復(fù)位時間

外形尺寸?（單位：mm）

印刷基板用端子質(zhì)量:0.25g
※標(biāo)記內(nèi)容與實際商品有所不同。
表面安裝端子質(zhì)量:0.25g
※標(biāo)記內(nèi)容與實際商品有所不同。
印刷基板加工尺寸 (Bottom View)
實際焊盤尺寸 (推薦值)(TOP VIEW)
外觀/端子配置/內(nèi)部接線圖 (Top View) DIP (Dual Inline Package) DIP4針
注1: 標(biāo)記內(nèi)容與實際商品有所不同。注2: 產(chǎn)品的型號中沒有標(biāo)明“G3VM”。注3: 1引腳標(biāo)記的對角側(cè)留有沖壓模具沖壓出的印記。